नेतृत्व समाप्ति
मुख्य प्राविधिक विशेषताहरू:
मूल्याङ्कन शक्ति: 5-800W;
सब्सट्रेट सामग्री: BeO, AlN, Al2O3
नाममात्र प्रतिरोध मान: 50Ω
प्रतिरोध सहिष्णुता: ± 5%, ± 2%, ± 1%
इम्पेरेचर गुणांक: ~150ppm/℃
सञ्चालन तापमान: -55~ + 150 ℃
ROHS मानक: अनुरूप
लागू मानक: Q/RFTYTR001-2022
लीड लम्बाइ: डेटा पानामा निर्दिष्ट रूपमा L
(ग्राहक आवश्यकताहरु अनुसार अनुकूलित गर्न सकिन्छ)
शक्ति(W) | आवृत्ति | आयाम (एकाइ: मिमी) | सब्सट्रेटसामग्री | डाटा पाना (पीडीएफ) | |||||
A | B | H | G | W | L | ||||
5W | 6GHz | ४.० | ४.० | १.० | १.६ | १.० | ३.० | Al2O३ | RFT50A-05TM0404 |
11GHz | १.२७ | २.५४ | ०.५ | १.० | ०.८ | ३.० | AlN | RFT50N-05TJ1225 | |
10W | 4GHz | २.५ | ५.० | १.० | १.९ | १.० | ४.० | BeO | RFT50-10TM2550 |
6GHz | ४.० | ४.० | १.० | १.६ | १.० | ३.० | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
8GHz | ४.० | ४.० | १.० | १.६ | १.० | ३.० | BeO | RFT50-10TM0404 | |
10GHz | ५.० | ३.५ | १.० | १.९ | १.० | ३.० | BeO | RFT50-10TM5035 | |
18GHz | ५.० | २.५ | १.० | १.८ | १.० | ३.० | BeO | RFT50-10TM5023 | |
20W | 4GHz | २.५ | ५.० | १.० | १.९ | १.० | ४.० | BeO | RFT50-20TM2550 |
6GHz | ४.० | ४.० | १.० | १.६ | १.० | ३.० | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
8GHz | ४.० | ४.० | १.० | १.६ | १.० | ३.० | BeO | RFT50-20TM0404 | |
10GHz | ५.० | ३.५ | १.० | १.९ | १.० | ३.० | BeO | RFT50-20TM5035 | |
18GHz | ५.० | २.५ | १.० | १.८ | १.० | ३.० | BeO | RFT50-20TM5023 | |
30W | 6GHz | ६.० | ६.० | १.० | १.८ | १.० | ५.० | AlN | RFT50N-30TJ0606 |
६.० | ६.० | १.० | १.८ | १.० | ५.० | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
६० वाट | 6GHz | ६.० | ६.० | १.० | १.८ | १.० | ५.० | AlN | RFT50N-60TJ0606 |
६.० | ६.० | १.० | १.८ | १.० | ५.० | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
६.३५ | ६.३५ | १.० | १.८ | १.० | ५.० | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
100W | 3GHz | ६.३५ | ९.५ | १.० | १.६ | १.४ | ५.० | AlN | RFT50N-100TJ6395 |
८.९ | ५.७ | १.० | १.६ | १.० | ५.० | AlN | RFT50N-100TJ8957 | ||
९.५ | ९.५ | १.० | १.६ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
4GHz | १०.० | १०.० | १.० | १.८ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
6GHz | ६.३५ | ६.३५ | १.० | १.८ | १.० | ५.० | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
८.९ | ५.७ | १.० | १.६ | १.० | ५.० | AlN | RFT50N-100TJ8957B | ||
8GHz | ९.० | ६.० | १.५ | २.० | १.० | ५.० | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
150W | 3GHz | ६.३५ | ९.५ | १.० | १.६ | १.४ | ५.० | AlN | RFT50N-150TJ6395 |
९.५ | ९.५ | १.० | १.६ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
4GHz | १०.० | १०.० | १.० | १.८ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
6GHz | १०.० | १०.० | १.० | १.८ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
200W | 3GHz | ९.५ | ९.५ | १.० | १.६ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-200TJ9595 |
4GHz | १०.० | १०.० | १.० | १.८ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
10GHz | १२.७ | १२.७ | २.० | ३.५ | २.४ | ५.० | BeO | RFT50-200TM1313B | |
250W | 3GHz | १२.० | १०.० | १.५ | २.५ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-250TM1210 |
10GHz | १२.७ | १२.७ | २.० | ३.५ | २.४ | ५.० | BeO | RFT50-250TM1313B | |
300W | 3GHz | १२.० | १०.० | १.५ | २.५ | १.४ | ५.० | BeO | RFT50-300TM1210 |
10GHz | १२.७ | १२.७ | २.० | ३.५ | २.४ | ५.० | BeO | RFT50-300TM1313B | |
400W | 2GHz | १२.७ | १२.७ | २.० | ३.५ | २.४ | ५.० | BeO | RFT50-400TM1313 |
500W | 2GHz | १२.७ | १२.७ | २.० | ३.५ | २.४ | ५.० | BeO | RFT50-500TM1313 |
800W | 1GHz | २५.४ | २५.४ | ३.२ | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
नेतृत्व समाप्ति प्रतिरोध, सर्किट मुद्रण, र sintering मार्फत विभिन्न फ्रिक्वेन्सी आवश्यकताहरु र पावर आवश्यकताहरु मा आधारित उपयुक्त सब्सट्रेट आकार र सामग्री चयन गरेर बनाइन्छ।सामान्यतया प्रयोग हुने सब्सट्रेट सामग्रीहरू मुख्यतया बेरिलियम अक्साइड, एल्युमिनियम नाइट्राइड, एल्युमिनियम अक्साइड, वा राम्रो गर्मी अपव्यय सामग्री हुन सक्छ।
नेतृत्व समाप्ति, पातलो फिल्म प्रक्रिया र बाक्लो फिल्म प्रक्रियामा विभाजित।यो विशिष्ट शक्ति र आवृत्ति आवश्यकताहरु मा आधारित डिजाइन गरिएको छ, र त्यसपछि प्रक्रिया मार्फत प्रशोधन।यदि तपाइँसँग विशेष आवश्यकताहरू छन् भने, अनुकूलनको लागि विशेष समाधान प्रदान गर्न कृपया हाम्रो बिक्री कर्मचारीहरूलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।